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光學(xué)分析顯微大小的晶體鑒定,粒度自動(dòng)分析顯微鏡 由于化學(xué)組成相同，各種SiC 變體自然不能用化學(xué)方法區(qū)分開來，其他就去的定量分析，特別是立方變體的定量分析，又遇到如下的困難：1 、光學(xué)分析只是對(duì)純晶體才能作出可靠的鑒定，可能以亞顯微大小存在的立方- 六方合生體則不被發(fā)現(xiàn)，而且具有一維無序的立方晶體在光學(xué)上也是一軸的，因此分類時(shí)就會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤。 2 、SiC 晶體的幾何關(guān)系要求所有的變體都具有幾乎相同的點(diǎn)陣能，因此變體行為上的區(qū)別只在表面起著決定性作用的過程中才是重要的，而與氣相的反應(yīng)首先就歸屬于這種過程，在純的變體中，立方晶體的特點(diǎn)是：以其4+4 個(gè)等值的，一般以穩(wěn)定著稱的面可以構(gòu)成所閉合物質(zhì)的兩個(gè)四面體，而在六方和菱形變中則只存在兩個(gè)穩(wěn)定性相同的底面，它們不能把晶粒完全封閉住，很明顯，這樣的對(duì)比只有在粒度幾純度都相同的條件下才能進(jìn)行，這種研究工作過去沒的進(jìn)行過，因?yàn)橹钡侥壳盀橹梗械募冏凅w都尚末制備成功。 3 、不但在單晶體照片中，而且也在角度分辨率高的粉末照片中，立方SiC 的全部X 射線反射都與顯然合乎規(guī)律地與之合生在一起六方變體的反射重迭起來，因?yàn)閼偃宋鲚S比=4.908，而不是理論值的4.899 ，但是這些不同樣品的干涉線條一般是鍘好可以彼此明顯地區(qū)分開來，而有時(shí)又只有一條彌散帶可以辨認(rèn)，這點(diǎn)干涉線條可以因輕微的點(diǎn)陣應(yīng)力而顯得模糊，關(guān)于這種合生是原來已有的，還是以后轉(zhuǎn)變而成的問題，首先就不能解決。 4 、在等吸收的粉末物質(zhì)混合物的X 射線定量分析中，待研究物質(zhì)的非重迭線德棉股份強(qiáng)度與該物質(zhì)的濃度成正比，比例因子必須通過校正試驗(yàn)加以確定，此需要制備純凈的物質(zhì)，這在SiC 變體來說，是有如下困難的。 立方變體固然可以制成純凈狀態(tài)，但是它沒有非重迭的線條。 六方和菱形變體雖然有非重迭線條，可是，它們目前還不能夠確的把握地制成純凈狀態(tài)。 針對(duì)而進(jìn)一步發(fā)展起來的X 射線定量分析理論被應(yīng)用于SiC 和SiC混合物了，針對(duì)而發(fā)展的理論要?jiǎng)龠^針對(duì)的理論，而且也象后者那樣付諸實(shí)踐了，在和這兩種情況中，都必須從結(jié)構(gòu)因數(shù)計(jì)算真實(shí)的強(qiáng)度，在這當(dāng)中，人們看到，對(duì)SiC 系統(tǒng)來說，在法中由于所討論的特殊情況對(duì)稱性緣故，只要對(duì)Si和C 的原子振幅作出少許的特定假設(shè)，就可以那樣地解決問題了，但是為了要達(dá)到更大的準(zhǔn)確度起見，最好方法實(shí)驗(yàn)測出真實(shí)的強(qiáng)度，而不采用計(jì)算的辦法，在這兩種方法中只有良好的SiC 晶體才能測定，而對(duì)錯(cuò)排的變化，則不適應(yīng)，樣品如含有一部分可能存在的，數(shù)量末知的錯(cuò)排SiC ，則SiC 變體的定量測定結(jié)構(gòu)無疑要產(chǎn)生誤差。 此處介紹的測定立方SiC 含量的方法曾應(yīng)用于只發(fā)生SiC 線條，因而首先含有純SiC 的這樣一種我的上，但是，既然立方SiC 的全部線條與SiC 的線條重迭，因此樣品中也可能含有若干數(shù)量的SiC.
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