試樣金屬研磨后使用金相/電子顯微鏡檢測金相結(jié)構(gòu)
探討先進(jìn)電子顯微偵測技術(shù)于互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程中的普遍應(yīng)用。
在前段制程常出現(xiàn)的底層接觸窗斷線及部分?jǐn)嗑€進(jìn)行成功檢測，并針對(duì)成像的灰階相對(duì)于斷線程度進(jìn)行比較，
并進(jìn)而得其線性關(guān)系。對(duì)于90奈米或65奈米線徑以下之前段制程常見之矽化鎳成管狀鉆出之縱向分佈作了
深入的實(shí)驗(yàn)探討。在65奈米線徑以下前段制程常見之多晶矽閘極與其旁之接觸窗短路之
偵測技術(shù)作一系列條件測試終能順利測得。
后段制程常出現(xiàn)的底層通道斷線及部分?jǐn)嗑€進(jìn)行成功檢測。
部分晶圓廠為了防止金屬氧化而在金屬研磨后再過了下一站沉積上一層氮化矽或滲碳氮化矽后才作電子顯微鏡檢測
之偵測技術(shù)也作了實(shí)驗(yàn)探討，并針對(duì)成像的灰階相對(duì)于斷線程度進(jìn)行比較，并進(jìn)而得其線性關(guān)系。
電子顯微鏡缺陷檢測技術(shù)在應(yīng)用上也有其限制。實(shí)驗(yàn)量化其受到電磁波干擾的現(xiàn)象。
另也做了實(shí)驗(yàn)證明在電子顯微鏡掃瞄后的晶片其下一站不應(yīng)安排進(jìn)行水洗。
對(duì)于某些條件可能會(huì)造成晶片被電弧破壞或造成污染也進(jìn)行實(shí)驗(yàn)探討
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